Semi-conducteurs. Page 189 sur 485. Avtronic

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102

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Transistors

141

Triacs et diacs

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10167 articles disponibles

Affichage 21 articles: IXFR200N10P à IXTQ36N30P (Page 189 sur 485)

Transistor IXFR200N10P

50.79€ TTC

10 En stock

Transistor IXFR200N10P N-MOS 100V 133A 300W<0.009R 150nS. Polar HiPerFet Power MOSFET. td(on):30nF. td(off):150nF. Constructeur: IXYS. Boîtier: ISOPLUS247 (TO-247). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 133 A. Rds (Ohms): 0.009.

Tarifs dégressifs

Transistor IXFR48N50Q

28.06€ TTC

1 En stock

Transistor MOSFET canal N 500V 40A/192Ap 310W 0.11R Trr:250nS. Constructeur: IXYS. Type de boîtier: TO-247. Boîtier: ISOPLUS247 (TO-247). Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 500V. Id(T:25): 40A. Puissance: 310 W. Id(imp): 192 Ap. Idss (min): 100 uA. Idss (max): 2mA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Vgs(th) max.: 4V. Rds(on):

Tarifs dégressifs

Transistor IXFX34N80

53.59€ TTC

25 En stock

Transistor MOSFET canal N 800V 34A/136Ap 560W 0.24R Trr:250nS. Constructeur: IXYS. Type de boîtier: PLUS247. Boîtier: PLUS247. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 800V. Id(T:25): 34A. Puissance: 560 W. Id(imp): 136 Ap. Idss (min): 100 uA. Idss (max): 2mA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 3V. Rds(on): 0.24 Ohm. Diode de protection

Tarifs dégressifs

Transistor IXGH24N60CD1

30.74€ TTC

36 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 48A. Puissance: 150W. Vce(sat): 2.1V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. Td(on): 15ns. Td(off): 75ns.

Tarifs dégressifs

Transistor IXGH30N60B2D1

33.15€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 600V 70A. Puissance: 190W. Vce(sat): 1.8V. Boîtier: TO-247AD. HiPerFAST IGBT.

Tarifs dégressifs

Transistor IXGH32N60BU1

44.91€ TTC

23 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 60A. Puissance: 200W. Vce(sat): 2.3V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. Td(on): 25ns. Td(off): 100ns.

Tarifs dégressifs

Transistor IXGH40N60B2

27.05€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 300W. Vce(sat): 1.7V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 130ns

Tarifs dégressifs

Transistor IXGH40N60B2D1

30.97€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 70A. Puissance: 300W. Vce(sat): 1.7V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 130ns.

Tarifs dégressifs

Transistor IXGR40N60B2D1

36.46€ TTC

13 En stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 60A. Puissance: 167W. Vce(sat): 1.9V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 130ns

Tarifs dégressifs

Transistor IXGR40N60C2

41.44€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 56A. Puissance: 170W. Vce(sat): 2.7V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 90ns

Tarifs dégressifs

Transistor IXGR40N60C2D1

42.45€ TTC

1 En stock

Transistor IGBT N 600V 56A 170W Vce(sat)2.7V. Boîtier: TO-247AC HiPerFAST IGBT. Fréquence de l´horlogenction: C2-Class High Speed IGBT. Note: Td(on)18ns, Td(off)90nS.

Tarifs dégressifs

Transistor IXGR48N60C3D1

35.84€ TTC

17 En stock

Transistor IGBT N 600V 56A. Vce(sat): 2.3V. Boîtier: TO-247AC. Tension collecteur-émetteur maxi (VBE=0): 600V. Courant de collecteur maxi: 56A. Puissance: 125W. VGES: 20V. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

Tarifs dégressifs

Transistor IXGR60N60C2

32.65€ TTC

48 En stock

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.7V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 95ns

Tarifs dégressifs

Transistor IXGR60N60C2D1

38.75€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.7V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 95ns

Tarifs dégressifs

Transistor IGBT canal-N IXGR60N60C3D1

23.30€ TTC

37 En stock

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 76A/105Ap. 268W Vce(sat) : 1.6V-1.9V

Tarifs dégressifs

Transistor IXTA36N30P

17.14€ TTC

3 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 300V. Courant de Drain maxi: 36A. Puissance: 300W. Rds<0.092 Ohms. PolarHTTM Power MOSFET. Boîtier: D2Pak TO-263AB.

Tarifs dégressifs

Transistor IXTH96N20P

29.12€ TTC

5 En stock

Transistor MOSFET canal N 200V 96A/225Ap 600W 0.024R (75A)

Tarifs dégressifs

Transistor IXTK90P20P

58.91€ TTC

22 En stock

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 200V 90A. Boîtier: TO-264. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 90A. Puissance: 890W. Résistance Rds: 0.044 Ohms. PolarPTM Power MOSFET.

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IXTP36N30P

15.96€ TTC

110 En stock

Transistor MOSFET canal-N 300V 36A/90Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.092 Ohms (36A)

Tarifs dégressifs

Transistor MOSFET canal-N IXTP50N25T

26.26€ TTC

26 En stock

Transistor MOSFET canal-N 250V 50A/130Ap 400W. Résistance passante RDSon : 0.06 Ohms (36A)

Tarifs dégressifs

Transistor IXTQ36N30P

21.50€ TTC

7 En stock

Transistor MOSFET canal N 300V 36A/90Ap 300W 0.092R (36A). Constructeur: IXYS. Type de boîtier: TO-3P (TO-218 SOT-93). Boîtier: TO3P. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 300V. Id(T:25): 36A. Puissance: 300 W. Id(T:100): 36A. Id(imp): 90 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 200 uA. Vgs: 30V. Vgs(th) min.: 3V. Vgs(th) max.: 5

Tarifs dégressifs

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Transistor IXFR200N10P

Transistor IXFR200N10P N-MOS 100V 133A 300W<0.009R 150nS. Polar HiPerFet Power MOSFET. td(on):30nF. td(off):150nF. Constructeur: IXYS. Boîtier: ISOPLUS247 (TO-247). Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 133 A. Rds (Ohms): 0.009.

Transistor IXFR48N50Q

Transistor IXFX34N80

Transistor IXGH24N60CD1

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 48A. Puissance: 150W. Vce(sat): 2.1V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. Td(on): 15ns. Td(off): 75ns.

Transistor IXGH30N60B2D1

Transistor IGBT N 600V 70A. Puissance: 190W. Vce(sat): 1.8V. Boîtier: TO-247AD. HiPerFAST IGBT.

Transistor IXGH32N60BU1

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 60A. Puissance: 200W. Vce(sat): 2.3V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. Td(on): 25ns. Td(off): 100ns.

Transistor IXGH40N60B2

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 300W. Vce(sat): 1.7V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 130ns

Transistor IXGH40N60B2D1

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 70A. Puissance: 300W. Vce(sat): 1.7V. Boîtier: TO-247(AD) HiPerFAST IGBT. High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 130ns.

Transistor IXGR40N60B2D1

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 60A. Puissance: 167W. Vce(sat): 1.9V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 130ns

Transistor IXGR40N60C2

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 56A. Puissance: 170W. Vce(sat): 2.7V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 90ns

Transistor IXGR40N60C2D1

Transistor IGBT N 600V 56A 170W Vce(sat)2.7V. Boîtier: TO-247AC HiPerFAST IGBT. Fréquence de l´horlogenction: C2-Class High Speed IGBT. Note: Td(on)18ns, Td(off)90nS.

Transistor IXGR48N60C3D1

Transistor IGBT N 600V 56A. Vce(sat): 2.3V. Boîtier: TO-247AC. Tension collecteur-émetteur maxi (VBE=0): 600V. Courant de collecteur maxi: 56A. Puissance: 125W. VGES: 20V. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à +150°C.

Transistor IXGR60N60C2

Transistor IGBT N 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.7V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 95ns

Transistor IXGR60N60C2D1

Transistor IGBT N (+diode) 600V. Courant de collecteur maxi: 75A. Puissance: 250W. Vce(sat): 2.7V. Boîtier: TO-247(AC) HiPerFAST IGBT. C2-Class High Speed IGBT. Td(on): 18ns. Td(off): 95ns

Transistor IGBT canal-N IXGR60N60C3D1

Transistor IGBT canal-N. Diode de roue-libre intégrée 600V 76A/105Ap. 268W Vce(sat) : 1.6V-1.9V

Transistor IXTA36N30P

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 300V. Courant de Drain maxi: 36A. Puissance: 300W. Rds<0.092 Ohms. PolarHTTM Power MOSFET. Boîtier: D2Pak TO-263AB.

Transistor IXTH96N20P

Transistor MOSFET canal N 200V 96A/225Ap 600W 0.024R (75A)

Transistor IXTK90P20P

Transistor MOSFET canal P (P-MOSFET) 200V 90A. Boîtier: TO-264. Vds(max): 200V. Id(@25ºC): 90A. Puissance: 890W. Résistance Rds: 0.044 Ohms. PolarPTM Power MOSFET.

Transistor MOSFET canal-N IXTP36N30P

Transistor MOSFET canal-N 300V 36A/90Ap 300W. Résistance passante RDSon : 0.092 Ohms (36A)

Transistor MOSFET canal-N IXTP50N25T

Transistor MOSFET canal-N 250V 50A/130Ap 400W. Résistance passante RDSon : 0.06 Ohms (36A)

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